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光電材料|傾斜和梯度Al組分AlGaN納米結(jié)構(gòu)增強(qiáng)了光電性能的太陽盲紫外探測器
發(fā)布時間:2021-12-31     作者:光電材料   分享到:

設(shè)計了不同Al成分分布的AlGaN納米陣列模型,研究了幾何參數(shù)對其光學(xué)響應(yīng)和量子效率的影響。

利用COMSOL Multiphysics軟件計算分析了軸向傾斜對納米結(jié)構(gòu)光吸收效率和光場分布的影響。

與垂直納米結(jié)構(gòu)相比,傾斜結(jié)構(gòu)陣列具有更好的光吸收特性,梯度Al組分AlGaN光電陰極在200 ~ 300?nm波長區(qū)域的光電響應(yīng)更**。

仿真研究發(fā)現(xiàn),致密的納米結(jié)構(gòu)陣列會重新吸收部分發(fā)射電子,利用輔助外電場可以**提高光電陰極的收集效率。

最后,當(dāng)外電場為2.5?V/μm、納米線高度為800?nm、入射角為10°時,GaN-Al0.365Ga0.635N層狀納米結(jié)構(gòu)陣列的電響應(yīng)效率達(dá)到30.93%。

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