基于射線追跡原理，建立了較為復雜的模擬模型，模擬了離軸4H-SiC晶體中基面上位錯的掠射同步x射線形貌對比，包括基面上位錯、偏轉螺紋位錯和混合位錯。

該模型綜合了表面弛豫效應和光電吸收效應來預測位錯對比。

與傳統的射線追蹤圖像相比，表面弛豫效應決定了晶面附近衍射的位錯對比。

由于光電吸收作用，隨著衍射光束在晶體內位置的深度增加，模擬位錯對比度逐漸減弱。

通過**滲透深度聚合得到的凈模擬位錯圖像的**特征與實驗地形圖像上觀察到的對比特征有很好的相關性。

深度分析顯示，在某些情況下，來自位錯下方區域的衍射x射線可以提供以前沒有考慮到的額外對比特征。

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