非摻雜型藍光TADF材料研發進展（MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2）

在TADF材料的研發案例中，大部分TADF材料都需要被摻雜到寬帶隙的主體材料中，從而避免因濃度湮滅效應而導致的激子損失。然而，由于純藍光TADF材料本身具有寬帶隙，為了實現良好的三線態激子限域，必須使用具有超寬帶隙的主體材料，這為其實際應用帶來了巨大的困難。寬帶隙主體材料需要復雜的結構設計，同時由于極短分子內共軛的存在，其本征載流子遷移率通常較低，不利于低功耗OLED器件的實現。該類主體材料還通常包含有不穩定的短共軛官能團，同樣不利于穩定型OLED的實現。

鑒于上面存在的問題，一類特殊的在非摻雜條件下具有的濃度湮滅效應的材料體系被開發出來。基于該類藍光材料，可以實現不需要使用主體材料的OLED器件，具有工藝（不需要共蒸技術）和結構簡單的優點。同時基于該類材料，由于整個激子復合區都可以完成發光，相比于摻雜型發光層，在相同的亮度條件下分子處于激發態的概率**降低。此時，雙分子相互作用導致的上轉換和濃度湮滅效應被大幅，有利于實現更低的器件效率滾降和更長的器件驅動壽命。在該部分中，作者呈現了目前非摻雜型藍光TADF材料的研究進展，基于該類材料目前已經實現了接近20%的EQE的器件表現，對于器件的驅動穩定性也有**提高。然而，該類藍光TADF材料目前仍然很少被報道，難度更大的地方更在于實現具有純藍光色（CIEy<0.20）的非摻雜型TADF材料。相關的研究仍然需要繼續推進，為簡化OLED器件結構和工藝，提升OLED驅動穩定性做出貢獻。

非摻雜型藍光TADF材料圖片（MCz-X1、PAc-XT、XAc-XT、FAc-XT、B-oCz、B-oTC、m-ACSO2）

圖5具有高發光效率的非摻雜型藍光TADF材料設計策略、器件性能和內在機制分析示意圖。

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小編zhn2021.12.28