藍(lán)光TADF材料分子3DTC-DPS、DPS-DMOC、i-DMAC-TRZ

DABNA-1、DABNA-2

DCzBN2、DCzBN3

Cz-TRZ1、Cz-TRZ2、Cz-TRZ3、Cz-TRZ4

藍(lán)光TADF材料分子設(shè)計(jì)策略、挑戰(zhàn)與案例分析

圖2 （a）天藍(lán)光和（b）深藍(lán)光TADF材料發(fā)光機(jī)制、分子能級調(diào)控策略和設(shè)計(jì)難點(diǎn)示意圖。（c）圖所示為潛在的實(shí)現(xiàn)藍(lán)光TADF材料設(shè)計(jì)“理想”的能級排列關(guān)系示意圖。

**，在藍(lán)光TADF材料設(shè)計(jì)中，難點(diǎn)在于材料要有較快的熒光輻射速率，同時(shí)保持小的ΔEST。對于天藍(lán)光（發(fā)光峰值約480 nm左右）TADF材料，受分子短共軛片段控制的局域三線態(tài)能級（3LE）可以較為容易地保持在電荷轉(zhuǎn)移三重態(tài)能級（3CT）附近或者之上，容易實(shí)現(xiàn)非常小的ΔEST。但對于設(shè)計(jì)純藍(lán)和深藍(lán)光發(fā)射的TADF材料而言（發(fā)光峰值約460 nm或者更短的波長），實(shí)現(xiàn)TADF卻困難得多。內(nèi)在的原因是 3LE能級主要被短分子共軛片段所決定，其能量值難于進(jìn)一步提升，而實(shí)現(xiàn)純藍(lán)發(fā)光卻需要提升1CT態(tài)能級到更高能量的位置。此時(shí)，ΔEST不可避免地被拉大，導(dǎo)致TADF效率的降低（圖2（a-b））。

為了實(shí)現(xiàn)純藍(lán)TADF發(fā)光，解決方法就是在該矛盾中尋求佳平衡點(diǎn)：在具有高能1CT能級的同時(shí)，保持高的3LE去接近3CT能級，從而實(shí)現(xiàn)TADF。在該部分中，作者詳細(xì)列舉了為了實(shí)現(xiàn)該平衡所報(bào)道的諸多分子設(shè)計(jì)和能級調(diào)控策略進(jìn)展，也借助藍(lán)光TADF的設(shè)計(jì)策略，詳細(xì)討論了TADF材料設(shè)計(jì)中存在的基本矛盾。

在該部分后，作者也詳細(xì)討論了仍然存在的問題。在實(shí)現(xiàn)具有深藍(lán)TADF發(fā)射的材料體系中，由于上述平衡的實(shí)現(xiàn)依舊**困難，藍(lán)光材料仍面臨具有較長的TADF激發(fā)態(tài)壽命、嚴(yán)重的雙分子湮滅過程、寬帶隙周邊材料的選取困難等問題，持續(xù)的努力仍然非常需要。新的研究還發(fā)現(xiàn)，根據(jù)角動(dòng)量守恒定則，具有相同軌道組成的1CT和3CT能級之間的RISC過程通常被認(rèn)為是禁阻的，具有非常小的旋軌耦合（SOC）因子。而具有不同軌道組成的3LE和1CT態(tài)之間的RISC是的。基于該考慮，設(shè)計(jì)具有幾乎簡并的1CT，3CT和3LE能級的純藍(lán)光TADF材料可能是實(shí)現(xiàn)具有短激發(fā)態(tài)壽命TADF藍(lán)光發(fā)射的潛在辦法，相關(guān)的研究結(jié)論仍舊需要大量的實(shí)驗(yàn)案例來支撐（圖2（c））。

藍(lán)光TADF材料分子3DTC-DPS、DPS-DMOC、i-DMAC-TRZ、DCzBN2、DCzBN3、Cz-TRZ1、Cz-TRZ2、Cz-TRZ3、Cz-TRZ4的設(shè)計(jì)策略

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溫馨提示：僅用于科研，不能用于人體實(shí)驗(yàn)！

小編zhn2021.12.28