光電材料β-FeSi2是光電子領域中一種重要的半導體硅化物。

本文采用脈沖激光沉積Fe薄膜的方法，在Si（100）襯底上制備了β-FeSi2合金層，然后在800℃的真空中進行熱退火。

退火溫度的調整對樣品的形貌、結構和光學性能有明顯的影響。800°c退火后樣品表面光滑，光電材料β-FeSi2相結構良好。

采用所制備的光電材料β-FeSi2合金層作為光電轉換層，在1319 nm波長下，紅外探測器的響應率為1.8 mA/W，探測率為1.44 × 107 cm?Hz1/2 W?1。

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