光電材料銦錫氧化物（ITO）薄膜的載流子濃度可以通過添加錫摻雜劑提供額外的導電電子來提高。

然而，晶界周圍豐富的缺陷和雜質導致強載流子散射。

本工作對磁控濺射制備的ITO薄膜進行超臨界co2 （SCCO2）流體處理，采用不同濃度的InCl3溶液，在晶界引入In3+離子，以調節晶界缺陷和雜質。

經過SCCO2流體處理后，光電材料ITO薄膜的光電性能**提高，x射線光電子能譜和正電子湮滅壽命譜的實驗結果解釋了SCCO2對ITO薄膜微觀結構的影響。

SCCO2流體處理后，脫水作用使晶界附近的懸垂鍵鈍化，同時銦離子向晶界擴散，形成類ito晶格結構。

更多推存

meso-四(對烷氧基苯基)卟啉鉬配合物

硫化鉛固載四(對-羧基苯基)鐵卟啉催化材料(FeTCPP/PbS)

cas:108443-61-4|四羧基苯基卟啉鈷|TCPP-(Co2+)

原卟啉 IX 二甲酯，CAS號:5522-66-7

西安齊岳生物科技有限公司是國內光電材料，納米材料，聚合物；化學試劑供應商；**于科研試劑的研發生產銷售。供應有機發光材料（聚集誘導發光材料）和發光探針（磷脂探針和酶探針）、碳量子點、金屬納米簇；嵌段共聚物等一系列產品。sjl2012/12/24