結合理論計算和實驗研究了光電材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）納米復合材料的光電催化性能。采用密度泛函理論（DFT）計算研究了復合材料的電子結構。

與SnO2材料（1.070 eV）相比，光電材料MSe2/SnO2 （M = Mo,W）納米復合材料的帶隙值分別**降低到0.133和0.008 eV。

居群分析表明，上MSe2 （M = Mo,W）與下層SnO2之間的電荷轉移可以提高SnO2材料的光電催化性能。

因此，采用水熱法合成了MSe2/SnO2 （M = Mo,W）納米復合光電材料，并對其進行了XRD表征。采用氟摻雜錫氧化物（FTO）導電玻璃電沉積制備相應電極，測試其光電催化性能。

實驗結果表明，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）納米復合材料的光電流分別為4.8和3.0 μA/cm2，電化學阻抗均小于SnO2材料。因此，MSe2/SnO2 （M = Mo,W）納米復合材料是很好的光電催化材料。

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