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光電材料|MSe2/SnO2 (M?=?Mo,W)納米復(fù)合材料的制備及其光電性能
結(jié)合理論計算和實驗研究了光電材料MSe2/SnO2 (M = Mo,W)納米復(fù)合材料的光電催化性能。采用密度泛函理論(DFT)計算研究了復(fù)合材料的電子結(jié)構(gòu)。
與SnO2材料(1.070 eV)相比,光電材料MSe2/SnO2 (M = Mo,W)納米復(fù)合材料的帶隙值分別**降低到0.133和0.008 eV。
居群分析表明,上MSe2 (M = Mo,W)與下層SnO2之間的電荷轉(zhuǎn)移可以提高SnO2材料的光電催化性能。
因此,采用水熱法合成了MSe2/SnO2 (M = Mo,W)納米復(fù)合光電材料,并對其進(jìn)行了XRD表征。采用氟摻雜錫氧化物(FTO)導(dǎo)電玻璃電沉積制備相應(yīng)電極,測試其光電催化性能。
實驗結(jié)果表明,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)納米復(fù)合材料的光電流分別為4.8和3.0 μA/cm2,電化學(xué)阻抗均小于SnO2材料。因此,MSe2/SnO2 (M = Mo,W)納米復(fù)合材料是很好的光電催化材料。
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