光電材料|多孔硅光電材料的電化學合成ZnO納米花和納
采用電沉積方法在多孔硅(PS)光電材料上制備了排列良好的ZnO納米花和納米片。
通過循環伏安法(CV)、電流計I-t (I-t)和開路電位法對沉積產物進行了表征。
x射線衍射(XRD)分析表明,PS光電材料具有較強的擇優取向(1 00),掃描電鏡(SEM)觀察表明,該鍍層由直徑約100 nm的納米花和納米片組成,在納米器件和納米技術中具有潛在的應用前景。
因此,根據開路電位(OCP)的研究,在PS光電材料上生長的ZnO比硅晶片具有更大的光電效應,可以作為光電材料。
利用紫外可見分光光度計對樣品進行了光學帶隙測量,得到了3.35 eV的帶隙。
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