產(chǎn)品分類(lèi)
光電材料|多孔硅光電材料的電化學(xué)合成ZnO納米花和納
采用電沉積方法在多孔硅(PS)光電材料上制備了排列良好的ZnO納米花和納米片。
通過(guò)循環(huán)伏安法(CV)、電流計(jì)I-t (I-t)和開(kāi)路電位法對(duì)沉積產(chǎn)物進(jìn)行了表征。
x射線(xiàn)衍射(XRD)分析表明,PS光電材料具有較強(qiáng)的擇優(yōu)取向(1 00),掃描電鏡(SEM)觀察表明,該鍍層由直徑約100 nm的納米花和納米片組成,在納米器件和納米技術(shù)中具有潛在的應(yīng)用前景。
因此,根據(jù)開(kāi)路電位(OCP)的研究,在PS光電材料上生長(zhǎng)的ZnO比硅晶片具有更大的光電效應(yīng),可以作為光電材料。
利用紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)對(duì)樣品進(jìn)行了光學(xué)帶隙測(cè)量,得到了3.35 eV的帶隙。
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