近紅外二區量子點（PbSe）半導體量子點是一種準零維的納米材料,當顆粒尺寸進入納米量級時,尺寸限域將引起尺寸效應、量子限域效應、宏觀量子隧道效應和表面效應,從而派生出納米體系不同于宏觀體系和微觀體系的低維物性,展現出許多不同于宏觀體材料的物理化學性質。

近紅外二區量子點（PbS）量子點具有波爾半徑大(18nm),禁帶寬度窄(0.41eV),能帶結構對稱,良好的光電導性質,較大的介電常數,吸收譜很寬且吸收系數高等優點,。我們知道,PbS量子點的光學性能主要受量子點的尺寸影響,可以通過控制合成量子點尺寸的大小來調節吸收光譜的范圍,因此,如何實現PbS量子點尺寸的調控就顯得尤為重要。在傳統的量子點制作方法中,量子點尺寸的大小通常可以通過合成溫度、反應條件等參量的選取來控制,實驗的可重復性較差。

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