介紹近紅外二區量子點硒化鉛（PbSe）的產品特性和制備方法

近紅外二區量子點硒化鉛（PbSe）產品描述：

 PbSe量子點(PbSe-QDs)是紅外波段的**納米材料，其具有大的玻爾半徑、小的體材料禁帶寬度(玻爾半徑是46 nm，體材料禁帶寬度是0.28 eV)，因此，在近紅外區域，PbSe-QDs具有強大的尺寸受限效應和較高的量子產出率。采用配位溶劑的方法制備了尺寸為4.6和6.1 nm的PbSe量子點，將該PbSe量子點沉積到GaN發光芯片上并經過紫外光照處理和固化后制成了光致發光的近紅外光源，其中4.6 nm的PbSe-QDs的沉積厚度為671.5 μm，而6.1 nm的PbSe-QDs的沉積厚度為48 μm。將制成的近紅外光源應用到C₂H₂氣體和NH₃氣體的檢測實驗中，實驗結果表明，通過改變PbSe量子點的尺寸可以調節光源光致發光峰的位置，從而覆蓋目標氣體在近紅外波段的吸收譜線。4.6 nm的光源發射光譜包含了1 500～1 550 nm之間的C₂H₂氣體的全部的吸收譜;6.1 nm的光源發射光譜包含了1 900～2 060 nm之間的NH₃氣體的全部的吸收譜。這種利用PbSe量子點尺寸的可調性匹配對應氣體吸收譜的方法是可行和**的，具有廣闊的應用前景。

近紅外二區量子點硒化鉛（PbSe）產品特性:

(1)量子點的發射光譜可以通過改變量子點的尺寸大小來控制。

(2)量子點具有很好的光穩定性。

(3)量子點具有寬的激發譜和窄的發射譜。

(4)量子點具有較大的斯托克斯位移。

(5)生物相容性好。

(6)量子點的熒光壽命長。

半導體量子點是一種準零維的納米材料,當顆粒尺寸進入納米量級時,尺寸限域將引起尺寸效應、量子限域效應、宏觀量子隧道效應和表面效應,從而派生出納米體系不同于宏觀體系和微觀體系的低維物性,展現出許多不同于宏觀體材料的物理化學性質。

PbSe量子點作為Ⅳ-Ⅵ族半導體材料，也是重要的∏-∏鍵半導體材料。其具有較窄的直接帶隙。與其他半導體量子點相比，其激子波爾半徑為46nm，使其很容易獲得很強的量子限域效應。由于量子點產生的熒光可以覆蓋整個傳輸窗口，因此其在光學器件方面有著廣泛的應用前景。比如紅外探測器，太陽能吸收器，光學開關等。更重要的是，多激子效應已經在量子點上觀測到，這一發現使得量子點有望成為**率的光電轉換裝置。

 近紅外二區量子點硒化鉛（PbSe）制備方法包括以下步驟：

步驟一：預先制備的二苯基膦硒和三辛基膦硒作為硒源，以氯化鉛和油胺的復合物作為鉛源，利用室溫注入并升溫的方法來制備硒化鉛量子點。

具體可包括以下步驟：

步驟二：若要得到更大尺寸的量子點，還可進行二次注入硒源(二苯基膦硒和三辛基膦硒)，**次注入硒源的物質的量可以調節尺寸的大小。

將反應混合物加熱到不同溫度可以控制PbSe量子點的尺寸，**的反應溫度越高，尺寸越大。

室溫時注入的兩種硒源的摩爾量應低于鉛源的二分之一，兩種硒源的比可以調控量子點的尺寸，三辛基膦硒越多，尺寸越大。

**得到的產物可以通過加入油酸并用常規的量子點分離純化的方法提純。

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