CdTe和CdS 量子點的合成方法

產品概述

水溶性CdTe/CdS量子點產品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產率為50%，儲存時應避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產540nm～640nm任一波長的產品。本產品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發射光譜窄而對稱，熒光強度高而穩定等特點。本公司目前可提供表面為羧基，巰基丙酸作為包覆劑的水溶性CdTe/CdS量子點。

半導體納米微晶體（即量子點ＱDｓ）具有優良的光學、電學性能，已引起了人們的研究興趣。量子點的光致發光特性和電致發光特性已得到了廣泛地研究，但有關量子點化學發光特性的研究相對較少。水溶性ＣｄＳ量子點易于制備，并可以通過改變其組成、尺寸、形狀和表面包被試劑來調節其發光特性。我們研究發現，不同包被試劑的 ＣｄTｅ量子點具有不同的化學發光行為，而有關包被試劑對 ＣｄＳ量子點發光特性的影響還未見報道。本文分別以半胱胺鹽酸鹽（ＣＡ）、半胱氨酸（Ｌ－ｃｙｓ）、谷胱甘肽（ＧＳＨ）為包被試劑，制備出３種粒徑相同的水溶性 ＣｄＳ量子點。在優化的實驗條件下，研究這些CdS量子點在不同氧化劑體系下的化學發光行為。實驗結果表明，包被試劑對 ＣｄＳ量子點化學發光性能影響很大．因此，可以通過優化量子點的包被試劑來提高量子點的化學發光效率。

CdTe量子點的合成

1.Te 前體的制備：稱取 0.0127gTe 粉，置于三口瓶中，加入 1.0mL十八烯，在氬氣氛圍中保持 30 分鐘。在真空箱中抽取 1.0 毫升三辛基膦，注射進入三口瓶，升溫至 300℃，保溫 3~5h 至黑色粉末完全溶解。

2.Te 前體的制備：稱取 0.0127gTe 粉，置于三口瓶中，加入 1.0mL十八烯，在氬氣氛圍中保持 30 分鐘。在真空箱中抽取 1.0 毫升三辛基膦，注射進入三口瓶，升溫至 300℃，保溫 3~5h 至黑色粉末完全溶解。

3.CdTe核量子點的制備：分別稱取0.15gODA和0.15gTOPO，迅速加入上述混合溶液中（十八胺與三正辛基膦易吸潮）。

4.充入氬氣除氧30min，逐步加熱混合溶液，待固體溶解后繼續升溫至預定溫度，將已經澄清的碲前體快速注入反應器中，反應預定的時間后，繼續攪拌直至將反應體系冷卻至室溫。

5.使用丙酮洗滌反應產物，用8000rpm/min速度離心分離30min，析出固體沉淀物。重復兩次一定次數后，用環己烷溶解沉淀物溶，得到量子點的環己烷溶液，將其密封后避光保存冰箱中。

CdS量子點制備

以十八胺（ODA）為表面活性劑和溶劑合成了直徑分別為2.5nm、3.5nm和5.0nm的CdS量子點。通過改變硫的添加量可以調整量子點的大小和組成。在合成過程中，隨著硫含量的增加，CdS量子點的尺寸增大。另一方面，過量的硫將地消除硫空位，表面態發射。ODA能鈍化CdS量子點表面的表面態，地表面態發射。

特點

本產品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發射光譜對稱，熒光強度高而穩定等特點。

量子點具有大的表面效應，隨著尺寸的減小其表面原子數增加，表面積與整體體積的比急劇增大，表面能增大，表面大量的不飽和懸鍵嚴重破壞了晶格周期性，導致在量子點表面形成了眾多空穴和電子缺陷態，影響量子點的發光性質。增加量子點的發光效率和光、化學穩定性就需要鈍化量子點的表面態。一般有兩種方法：①量子點表面修飾有機配體；②量子點表面包覆無機殼層。有機配體不能同時鈍化量子點表面的電子和空穴陷阱態，且易受水、氧侵蝕和光降解，不能使量子點保持長期的發光和穩定性。

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