采用靜電紡絲技術構筑粗糙表面, 再使用廉價的低表面能物質(zhì)硅油在煅燒過程中進行同步修飾, 制備出接觸角大于 150°, 滾動角小于 5°的 TiO2 超疏水表面。該超疏水表面具有由 TiO2納米纖維和微米尺寸顆粒狀硅油高溫分解產(chǎn)物織構而成的納米纖維網(wǎng)膜結構, 這種特殊的微納米復合粗糙結構和疏水性硅油分解產(chǎn)物的修飾作用導致 TiO2 納米纖維網(wǎng)膜的超疏水性。
將PVP和鈦酸四丁酯溶解在乙醇和醋酸(體積比4:1)的混合溶劑中,配制質(zhì)量分數(shù)分別為4%PVP和20%鈦酸四丁酯的前驅(qū)體溶液;將上述溶液置于內(nèi)徑為0.43m針頭的注射器中,采用1.8k∨/cm的工作電壓強度(電壓強度=工作電壓/接收距離進行靜電紡絲,最后在玻璃基底接收裝置上收集得到PVP/鈦凝膠復合膜。在負載上述復合膜的玻璃基底上,加入1g硅油,置于程序升溫馬弗爐中,以1.5℃/min的升溫速度升至450℃,然后在該溫度下持續(xù)煅燒3h,選擇性除去PVP,得到TiO2膜。
西安齊岳生物供應各種生物可降解共聚物材料PLA聚乳酸納米纖維膜、PCL聚己內(nèi)酯電紡纖維膜、PLGA聚乳酸-羥基乙酸共聚物電紡纖維膜、PVA聚乙烯醇纖維膜等等產(chǎn)品
多孔薄膜PLA納米纖維500nm(厚度:100/200/500)um或1cm
多孔薄膜PLA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PLGA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PLGA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PCL納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
多孔薄膜PCL納米纖維200nm(厚度:100/200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLGA納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PLGA納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PCL納米纖維500nm(厚度:200/500)um或1cm
開放式孔構薄膜PCL納米纖維200nm(厚度:200/500)um或1cm
PS納米纖維網(wǎng)格濾片150nm(厚度:600um)(直徑3/8cm)(網(wǎng)格空隙:200um)
PS納米纖維網(wǎng)格濾片300nm(厚度:1000um)(直徑3/8cm)(網(wǎng)格空隙:400um)
PS納米纖維薄膜網(wǎng)格濾片150nm(厚度:1cm)(網(wǎng)格空隙:200um)
PS納米纖維薄膜網(wǎng)格濾片300nm(厚度:1cm)(網(wǎng)格空隙:400um)
PS納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格濾片150nm(厚度:600um)(孔數(shù):6/12/24/48/96)(網(wǎng)格空隙:200um)
PLGA納米纖維網(wǎng)格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:200um)
PLGA納米纖維網(wǎng)格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:400um)
PLGA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm(網(wǎng)格空隙:200um)
PLGA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm(網(wǎng)格空隙:400um)
PLGA納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm(厚度:600um)(孔數(shù):6/12/24/48/96)(網(wǎng)格空隙:200um)
PLA納米纖維網(wǎng)格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:200um)
PLA納米纖維網(wǎng)格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:400um)
PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm(網(wǎng)格空隙:200um)
PLA納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片300nm(網(wǎng)格空隙:400um)
PLA納米纖維內(nèi)嵌網(wǎng)格膜片150nm(厚度:600um)(孔數(shù):6/12/24/48/96)(網(wǎng)格空隙:200um)
PCL納米纖維網(wǎng)格膜片150nm(厚度:600um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:200um)
PCL納米纖維網(wǎng)格膜片300nm(厚度:1000um)(直徑:3/8cm)(網(wǎng)格空隙:400um)
PCL納米纖維薄膜網(wǎng)格膜片150nm(網(wǎng)格空隙:200um)