納米硅量子點(Si QDs)的發光機制研究
硅量子點(Si QDs)的尺寸一般小于10 nm,由于量子限域效應和表面效應而表現出與體硅材料不同的電子和光學性質,因此硅量子點受到了研究者的關注。
圖1 性能表征
a,根據Gregorkiewicz研究組的實驗數據,硅量子點間接帶隙基態PL帶和高能直接帶隙PL帶隨量子點直徑大小改變的變化。
b,對于直徑3,在溫度為70 K測得的單量子發光譜和吸收譜與理論計算結果的比較。
c,Gregorkiewicz研究組的實驗數據指出隨量子點減小直接帶隙在能量上迅速紅移(光譜上的紅移是指光子能量變小,光子波長變長),該研究的理論結果指出隨硅量子點變小,直接帶隙沒有發生**紅移,而是有一點藍移。
圖2 實驗數據的比較
黑色,紅色和藍色符號分別對應于具有任何Γ-特征、具有≥10%和≥50%的Γ-特征的**能量狀態。
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