單層硅鍺(Si-Ge)薄膜外延生長步驟
在溫度為６００度左右，３英寸１１型Ｓｉ（１００）襯底上生長了Ｓｉ／ＳｉＧｅ／Ｓｉ單層結構，襯底經過ＲＣＡ＋１０％ＨＦ酸清洗后立即送進設備，生長室本底真空ｌｆｆ７帕，襯底以順時針１０轉每秒的速度旋轉，生長壓強約幾帕數量級。生長步驟如下：
１，以流量為２ｓｃｃｍ生長Ｓｉ緩沖層，生長時間為１００秒。以改善外延襯底質量。
２，關閉流量閥，抽生長室氣體，以消除ＳｉＧｅ、Ｓｉ層生長干擾，優化生長條件。
３，打開氣路開關，使ＳｉＨ４與Ｇｅ出氣體混合均勻，時間６０秒。
４，打開氣路開關，以Ｓｉｎ４：６ｅＨ４比為６：１ＳＣＣＭ生長ＳｉＧｅ層，生長時問５０秒。
５，關掉氣路開關，對生長室抽殘余ｓｉｌ４４，Ｇｅｌ４４氣體３０秒，以獲得成分陡峭的ＳｉＧｅ，Ｓｉ層。
６，以２ＳＣＣＭ流量生長Ｓｉ頂層，時間４５０秒。
ＨＲＸＲＤ測試表明獲得結晶良好ＳｉＧｅ外延層，ＸＴＥＭ測試（如下圖）表明獲得界面清晰，完整的層狀結構，ｓｉ緩沖層、ＳｉＧｅ層、Ｓｉ頂層依次厚為４０ｎｍ、４５ｎｍ、１８０ｎｍ。同時發現購買的硅片缺陷較大，這無疑對我們的外延質量有重大影響。
溫馨提示：西安齊岳生物科技有限公司供應的產品僅用于科研，不能用于其他用途
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