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氮化硼/環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料的制備方法
發(fā)布時(shí)間:2021-06-02     作者:axc   分享到:

提供了一種氮化硼表面的改性方法,通過(guò)采用不同形貌和尺寸、不同相結(jié)構(gòu)的氮化硼進(jìn)行添加, 構(gòu)筑**的導(dǎo)熱通路,**改善環(huán)氧樹(shù)脂的導(dǎo)熱性能

我們提供了一種簡(jiǎn)單**的氮化硼/環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料的制備方法,將六方氮化硼及立方氮化硼進(jìn)行表面改性,然后按照一定比例將其填充到環(huán)氧樹(shù)脂中,改性后的六方氮化硼及立方氮化 硼與環(huán)氧樹(shù)脂結(jié)合良好,在環(huán)氧樹(shù)脂中形成良好的導(dǎo)熱通路,不僅**的提高了環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能,而且絕緣性良好。

 一種氮化硼/環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料的制備方法,

1.以環(huán)氧樹(shù)脂為基體, 以氮化硼粉末為填料,所述的氮化硼粉末,是六方氮化硼微粉、立方氮化硼微粉、 六方氮化硼納米片中的12種;按填料的退火處理、填料的改性處理、填料與基體混合、脫泡固化處理的步驟進(jìn)行制備;

2.所述的填料的退火處理,是分別將氮化硼粉末在7501000℃下退火12h, 再研磨待用;

3.所述的填料的改性處理,是將硅烷偶聯(lián)劑加入到乙醇水溶液中,磁力攪拌至 水解,得到混合溶液,其中硅烷偶聯(lián)劑與無(wú)水乙醇與去離子水的質(zhì)量比為 1:144:16;將經(jīng)退火處理后的氮化硼粉末分別加入混合溶液,60℃下攪拌12h, 然后用無(wú)水乙醇抽濾清洗,去除多余的硅烷偶聯(lián)劑,經(jīng)真空干燥,分別得到硅烷 偶聯(lián)劑改性的氮化硼粉末,其中硅烷偶聯(lián)劑的用量與每種氮化硼粉末的質(zhì)量比均 為1:20

4.所述的填料與基體混合,是以無(wú)水乙醇作為非活性稀釋劑,將環(huán)氧樹(shù)脂加入 到無(wú)水乙醇中混合均勻,得到稀釋后的環(huán)氧樹(shù)脂,再將硅烷偶聯(lián)劑改性的氮化硼 粉末加入稀釋后的環(huán)氧樹(shù)脂中,超聲處理,得到氮化硼與環(huán)氧樹(shù)脂混合物;其中, 環(huán)氧樹(shù)脂與無(wú)水乙醇的用量質(zhì)量體積比(g/mL)5:3,氮化硼粉末總質(zhì)量與環(huán) 氧樹(shù)脂的用量質(zhì)量比為0.753.25:5;

5.所述的脫泡固化處理,是在氮化硼與環(huán)氧樹(shù)脂混合物中加入固化劑,混合均 勻后進(jìn)行真空脫泡,再倒入模具中,室溫預(yù)固化13h,然后升溫至80℃固化14h, 自然冷卻至室溫脫模,得到氮化硼/環(huán)氧樹(shù)脂導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料;其中固化劑為 650聚酰胺固化劑,用量與環(huán)氧樹(shù)脂等量。

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西安齊岳生物科技有限公司將從零維/一維/二維/三維四個(gè)分類來(lái)提供幾十個(gè)產(chǎn)品分類和幾千種納米材料產(chǎn)品,材料的材質(zhì)包含金屬納米材料和非金屬納米材料以及他們的氧化物或碳化物及復(fù)合定制材料等等,產(chǎn)品粒徑從5納米-2000納米均可選擇。

產(chǎn)品:

丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹(shù)脂/六方氮化硼復(fù)合材料(ABS/h-BN)

六角氮化硼/單層硒化銦異質(zhì)結(jié)(InSe/h-BN)

六方氮化硼h-BN單層薄膜

六方氮化硼(h-BN)基復(fù)合陶瓷

丙烯腈—丁二烯—苯乙烯共聚物/氮化硼導(dǎo)熱復(fù)合材料

聚碳酸酯/氮化硼導(dǎo)熱復(fù)合材料

聚丙烯/氮化硼導(dǎo)熱復(fù)合材料

六方氮化硼納米片(h-BNNSs)

六方氮化硼/聚丙烯高分子復(fù)合材料

六方氮化硼/熱固性樹(shù)脂復(fù)合材料

六方氮化硼—石墨烯復(fù)合材料

六方氮化硼/聚苯乙烯復(fù)合材料

氮化硼納米片/金納米簇復(fù)合材料

聚合物表面改性六方氮化硼顆粒

Ni/h-BN鎳包覆六方氮化硼復(fù)合粉末

六方氮化硼/聚碳酸酯復(fù)合材料(h-BN/PC)

六方氮化硼填充導(dǎo)熱樹(shù)脂復(fù)合材料

六方氮化硼-釔硅氧復(fù)合材料

鍍鎳立方氮化硼復(fù)合材料

氮化硼/二氧化硅(BNP/SiO2)復(fù)合材料

氮化硼納米球

石墨烯基納米硼酸鹽復(fù)合材料

氮化硼納米球/硼酸鹽復(fù)合材料

六方氮化硼(BN)/二硫化鉬(Mos2)異質(zhì)結(jié)構(gòu)

氮化硼/二硫化鉬(BN/MoS2)填充環(huán)氧納米復(fù)合材料

環(huán)氧樹(shù)脂/氮化硼/石墨烯納米片導(dǎo)熱復(fù)合材料

氮化硼納米片/環(huán)氧樹(shù)脂復(fù)合材料

立方氮化硼-碳化鎢-鈷復(fù)合材料

鈦硅碳結(jié)合立方氮化硼超硬復(fù)合材料

氮化鋁-氮化硼(AlN-BN)復(fù)合陶瓷

氮化硼/聚砜導(dǎo)熱絕緣復(fù)合材料

氮化硼/三氧化二硼(BN-B2O3)納米棒

二氧化鈦/氮化硼復(fù)合光催化劑(h-BN/TiO2)

碳化硅/六方氮化硼(SiC/h-BN)復(fù)合涂層

磷烯/六角氮化硼(P/h-BN)異質(zhì)結(jié)

亞微米氮化鈦粉末

氮化硅/氮化鈦陶瓷多層膜(Si3N4/iN)

氧化鋁(Al2O3)/氮化鈦(TiN)復(fù)相陶瓷

鈷基合金/TiN陶瓷復(fù)合涂層

氧化鋁/氮化鈦陶瓷復(fù)合材料(Al2O3-TIN)

氮化鈦陶瓷增強(qiáng)銅基復(fù)合材料

丁腈橡膠/陶瓷納米氮化鈦復(fù)合材料

氮化鈦/氧化鋁(TiN/Al2O3)復(fù)合材料

氮化鋁/氧化鋁(AlN/Al2O3)復(fù)合材料

氮化鈦/氮化硅(TiN-Si3N4)復(fù)合材料

氮化鈦(TiN)/聚吡咯(PPy)納米復(fù)合材料

聚四氟乙烯/納米氮化鈦復(fù)合材料(PTFE/TiN)

塊體Ti2AlN/TiN復(fù)合材料

Si3N4-SiC-TiN陶瓷

氧化鋯(YSZ)修飾氮化鈦(TiN)

氮化鈦-鐵金屬陶瓷(TiN-Fe)

氮化鈦摻雜鎢基復(fù)合材料

氮化鈦(TiN)改善氮化硅(Si3N4)陶瓷

Si3N4-TiN納米復(fù)合材料

立方氮化硼-Ti/TiN復(fù)合材料

鈷基合金/TiN陶瓷復(fù)合材料

硅與氮化鈦納米復(fù)合材料(Si/TiN)

二氧化鈦/氮化鈦復(fù)合薄膜(TiO2/TiN)

磷酸基硅烷-氮化鈦復(fù)合薄膜

金屬鈦表面包覆氮化鈦薄膜

氮化鈦基AlTiN和TiAlSiN超硬納米復(fù)合工具膜

二硫化鉬氮化鈦(MoS2/TiN)復(fù)合薄膜

層氮化鈦薄膜厚度增加,TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜

nc—TiN/a—Si3N4納米復(fù)合薄膜

Ti—O/Ti—N復(fù)合薄膜

氮化鈦(TiNx)薄膜

石墨烯/氮化鈦(G/TiN)復(fù)合材料

立方氮化硼聚晶(PcBN)復(fù)合材料

TiNx/SiO2/Ag/SiO2復(fù)合膜

氮化硅層狀陶瓷

CVD法氮化硅薄膜

氮化硅(SiN)薄膜

弱分隔層(BN)氮化硅層狀復(fù)合材料

氮化硅(SiN)針狀晶體

氮化硅/聚苯乙烯復(fù)合電子基板材料

氮化硅/碳化硅復(fù)合材料(Si3N4/SiC)

多孔氮化硅陶瓷

SiO2和α-Si3N4氮化硅多孔陶瓷

Yb2O3摻雜氮化硅復(fù)合材料

CeO2-氮化硅陶瓷

聚醚砜-氮化硅復(fù)合材料

聚苯硫醚/納米氮化硅復(fù)合材料(PPS-Si3N4)

聚丙烯/納米氮化硅復(fù)合材料(SiN/PP)

納米氮化硅/丁腈橡膠復(fù)合材料

氧化鋁(Al2O3)摻雜氮化硅復(fù)合材料

碳化硅晶須補(bǔ)強(qiáng)氮化硅基(SiCW/Si3N4)材料

鈦酸鋁-氮化硅復(fù)合材料(Al2TiO5/Si3N4)



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