黑磷/聚乙烯亞胺/半導體氧化物復合材料(Co3O4@BP-PEI)的制備方法

黑磷(BP)是一種新型單元素二維原子晶體材料。與石墨烯(GS)類似，BP的分子吸附能均比MoS2和GS大得多，這使BP在傳感領域具有廣闊的應用前景。

本**黑磷/聚乙烯亞胺/半導體氧化物復合材料由黑磷、聚乙烯亞胺和半導體氧化物制成；所述半導體氧化物為氧化銅或四氧化三鈷,其制備步驟如下：

步驟一、稱取黑磷加入到二次蒸餾水，然后向蒸餾水中加入二甲基甲酰胺和二乙二醇二甲醚，進行超聲震蕩剝離0.5～1h后，定溶于1000mL容量瓶中得到薄層黑磷懸濁液

步驟二、向濃度為2g/L～5g/L的支鏈聚乙烯亞胺溶液中加入步驟一制備的薄層黑磷懸濁液，加入過程中保持機械攪拌，得到混合液；

步驟三、利用pH調節劑將步驟二得到的混合溶液的pH值調至9～9.2，攪拌0.5h～1h后進行超聲0.5h～1h，重新校正混合溶液的pH值至9～9.2，然后向混合溶液中滴加濃度為2g/L～6g/L的半導體氧化物溶液，得到含半導體氧化物的溶液；其中，滴加半導體氧化物溶液的過程中保持混合溶液pH值為9～9.2

步驟四、向步驟三得到的含半導體氧化物的溶液中通入空氣20min，然后利用pH調節劑將將含半導體氧化物的溶液的pH值調至12～12.2，繼續通入空氣2～5h，然后將含半導體氧化物的溶液超聲0.5h～1h，重新利用pH調節劑將含半導體氧化物的溶液的pH值校正至12～12.2，最后將含半導體氧化物的溶液陳化24h～48h

步驟五、用水稀釋步驟四陳化后的含半導體氧化物的溶液，并抽濾至濾液pH值為7，然后將抽濾所得固體產物置于150℃～250℃下進行水熱合成反應2h～10h，即制得黑磷/聚乙烯亞胺/半導體氧化物復合材料

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