單層二硒化鉬晶體熒光光譜圖在不同激發波長下的變化
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單層二維二硒化鉬晶體
二硒化鉬晶體 2H-MoSe2(Molybdenum Diselenide)-P型
晶體尺寸:0-10毫米 | 晶體結構:六邊形 |
電學特性:P型半導體 | 晶體類型:合成 |
晶體純度:99.995% | |
晶胞參數:a = b = 0.329 nm, c = 1.289 nm, α = β = 90°, γ = 120° |
沿(001)面排列的MoSe2單晶的X射線衍射。在室溫下使用D8 Venture Bruker進行了XRD分析。4個XRD峰從左到右對應于(00l),l=2,4,6,8
單晶MoSe2的粉末X射線衍射(XRD)。使用D8 Venture Bruker在室溫下進行X射線衍射。
用能量色散X射線光譜(EDX)對單晶MoSe2進行化學計量分析。
單晶MoSe2的拉曼光譜。在室溫下用785nm拉曼系統進行了測量。
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