氧化鋅量子點-聚酰亞胺薄膜(ZnO-PI)的制備過程
通過3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐(BPDA)與對苯二胺(PPD)合成聚酰胺酸(PAA)溶液。再采用溶液混合法,將ZnO 與聚酰胺酸混合,在馬弗爐中進行梯度升溫得到ZnO-聚酰亞胺(PI)復合膜。通過掃面電鏡(SEM)、紫外分光光度計(UV-Vis)、熱重分析儀(TG)、X-射線衍射分析(XRD)等對復合膜的表面結構、透光性、熱穩定性、晶體結構等進行了表征。研究了納米ZnO-PI 膜與量子點ZnO-PI 膜對甲基橙吸附性能,結果表明,在4 mg/L的甲基橙溶液中,納米ZnO-PI膜與量子點ZnO-PI膜均具有一定的吸附性能。
實驗步驟
ZnO-PI復合膜的制備
1)聚酰胺酸的合成
稱取1. 08 g對苯二胺于50 mL燒瓶中,再稱取3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐2. 97 g于50 mL燒杯中,將25 mL N,N-二甲基乙酰胺分成兩份加入到對苯二胺和3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐中,震蕩搖勻。將3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐在機械攪拌的作用下逐漸加入到對苯二胺中(3,3′,4,4′-聯苯四甲酸二酐與對苯二胺摩爾比為1. 01∶1),用冰水浴控制反應溫度為0 ℃,加料時間控制在2 h,加料完畢后繼續攪拌4 h,得到聚酰胺酸溶液,以上操作控制為無水條件下操作,聚酰胺酸制備過程如圖1所示。
2)ZnO-PI復合膜的制備
分別稱取0. 040 5、0. 121 5、0. 202 5、0. 283 5 g 納米ZnO 和0. 040 5、0. 121 5、0. 202 5 g 量子點ZnO分別加入到聚酰胺酸溶液中,攪拌4 h,攪拌完畢后靜置一天使溶液自然消泡。
將得到的聚酰胺酸溶液均勻地涂在干凈的玻璃板上,在馬弗爐中進行梯度升溫。升溫條件為室溫升至80 ℃持續1 h,80 ℃升至100 ℃持續30 min,100 ℃升至150 ℃持續30 min,150 ℃升至200 ℃持續30 min,200 ℃升至250 ℃持續30 min,250 ℃升至300 ℃持續20 min。自然冷卻到室溫后得到ZnO-PI復合膜(圖2)。
ZnO-PI 復合膜的表征
紫外光譜分析:在200~800 nm 的范圍內對純PI 膜、3%納米ZnO-PI 復合膜、3%量子點ZnO-PI復合膜進行掃描,檢測其透光率。
TG檢測:在氮氣保護下,溫度范圍為室溫到800 ℃,升溫速率20 ℃/min,表征純PI膜、3%納米ZnO-PI復合膜、3%量子點ZnO-PI復合膜的耐熱性能。
X-射線衍射分析:用X-射線衍射儀檢測了純PI膜、3%納米ZnO-PI復合膜、3%量子點ZnO-PI復合膜的結構進行了檢測。
純PI膜(A)、3%納米ZnO-PI復合膜(B)、3%量子點ZnO-PI復合膜(C)的掃描電鏡圖。由圖3(A)可以看出,純PI 薄膜表面平整,顏色較暗;由圖3(B)可知,通過溶液混合法,納米ZnO 由于機械攪拌的作用,附著在PI 薄膜上,但納米ZnO 分散不均勻,有一定團聚的問題;由圖3(C)可知,3%量子點ZnO-PI復合膜與3%納米ZnO-PI復合膜的情況類似,量子點ZnO也能夠附著在PI薄膜上,但量子點ZnO 的分散性比納米ZnO 的效果好,團聚現象比3%納米ZnO-PI 復合膜略少。由于量子點ZnO的團聚,量子點所具有的熒光性在復合膜上無法表現出來。
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NH2@ZnO QDs
巰基修飾的ZnO量子點(SH-ZnO QDs)
ZnO@(PAA-PEGFA)核/殼納米粒子(量子點為核,聚合物為殼)
3-巰丙基三乙氧基硅烷包覆ZnO量子點
SiO2包覆的水溶性ZnO藍色熒光量子點
SiO2直接包覆的ZnO量子點
ZnO量子點表面修飾巰基乙酸
水溶性熒光氧化鋅量子點(ZnO-QDs)
水相法制備出的Mn:ZnSe量子點
ZnO寬禁帶半導體量子點
室溫高功率激光發射量子點-ZnO
Si02/Si襯底上生長ZnO量子點
藍寶石襯底生長ZnO量子點
拋光Si(001)晶片生長ZnO量子點
水溶性SiO2包覆ZnO的量子點
正硅酸乙酯沉積包覆SiO2的ZnO量子點
CuO表面修飾ZnO量子點
稀土Sm3+摻雜ZnO量子點
Ag/ZnO量子點復合薄膜
ZnO/MgZnO量子點
磷摻雜生長ZnO量子點
乙二胺介導的ZnO量子點
ZnO量子點修飾尿酸分子
MAA巰基乙酸修飾ZnO量子點
乙醇溶液中制備出ZnO量子點
Cu摻雜ZnO量子點
PEG修飾的ZnO量子點
PEG(聚乙二醇,Mw=2000)修飾的氧化鋅量子點
Gd~(3+)/Yb~(3+)摻雜ZnO量子點
PVP分散制備ZnO量子點
非晶石英襯底上立方ZnMgO基體中制備六方ZnO量子點
以γ-氨丙基三乙氧基硅烷(ATPES)為表面修飾劑水溶性的ZnO量子點
小編zhn2021.03.30