基于GeSn/Ge雙層納米線光電探測器件及性能表征

研究人員利用分子束外延技術，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達~10%的GeSn/Ge雙層納米線結構。由于納米線具有柔性且**的比表面積，能夠通過彈性形變的方式自主弛豫釋放GeSn/Ge之間晶格失配引入的應力，從而****GeSn/Ge界面處的缺陷形成。由于GeSn具有較窄的禁帶寬度，因此基于GeSn/Ge雙層納米線的光電探測器件比Ge納米線光電探測器具有更長的探測波長，延伸到2 μm以上。為了**窄禁帶寬度GeSn引起的暗電流增加，研究人員進一步引入具有鐵電性的P(VDF-TrFE)離子膠作為柵介質，通過側柵調控大幅降低了GeSn/Ge雙層納米線光電探測器的暗電流與靜態功耗，從而實現了兼具長波長與低暗電流的光電探測，對于拓展Ⅳ族材料納米線結構在光電探測領域的研究與應用具有重要參考意義。

西安齊岳生物提供各種不同長度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線，ZnTe納米線，CdS-CdSe納米線，CdTe納米線，GaAs納米線，GaSb納米線，InP納米線，SnO2納米線，ZnO納米線，ZnS納米線，CdS納米帶，三氧化鉬納米線MoO3，單晶Sb2S3納米線，碳化硅納米線，SiO2納米線，TiO2納米線，氮化硅α-Si3N4納米線。同時實驗室提供各種納米線的改性，化學修飾，生物修飾，納米線功能化修飾定制技術。

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以上資料來自西安齊岳生物小編zhn2021.03.4