核殼結(jié)構(gòu)的SiC@SiO2納米線制備環(huán)氧/SiC@SiO2復合材料過程

使用像SiC納米線(NWs)這樣的新型具有**物理性能的填充物，可以獲得具有非常低的CTE，不匹配硅性質(zhì)的新型電子封裝復合材料。下文介紹核殼結(jié)構(gòu)的SiC@SiO2納米線制備環(huán)氧/SiC@SiO2復合材料過程。

1）制備核殼SiC@SiO2 NWs,將所需數(shù)量的SiC,NWs添加到石墨坩堝,放置在空氣中的高頻加熱爐從室溫加熱到1500°C，加熱時間分別維持在15、20、25和60秒。

在不同加熱時間下SiC納米線表面SiO2殼層的厚度變化情況

將所需數(shù)量的 Nd(III)acac 添加進一個脂環(huán)族的環(huán)氧樹脂,隨后在80°C三頸燒瓶中攪拌2 h。然后將均勻溶液冷卻到室溫。在一個超聲水浴中，在乙醇中分離出所需量(0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 wt %)，然后加入預測定的環(huán)氧樹脂量在超聲波環(huán)境下持續(xù)0.5小時。統(tǒng)一形成的混合物被放置在一個燒杯中在80°C水浴下機械攪拌,直到乙醇完全蒸發(fā)。將固化劑以100:95(環(huán)氧:固化劑)比例加入燒杯，攪拌20分鐘。得到的混合物在真空烤箱中進一步脫氣10分鐘以去除氣泡。最后,均勻分散SiC@SiO2 NWs的環(huán)氧樹脂混合物在135°C下穩(wěn)定 2 h，在165°C下穩(wěn)定14 h。固化過程后，樣品自然冷卻到室溫，然后用砂紙打磨成不同的形狀。

實驗結(jié)果表明添加2.5 wt%的SiC@SiO2 NWs在環(huán)氧樹脂中,其導熱系數(shù)達到了0.391 Wm-1K-1，相比純環(huán)氧樹脂提高了79.4%，SiC@SiO2 NWs相比于SIC NW的親水性也有提高(如圖1所示)，同時熱穩(wěn)定等性能也有一定程度地提高(如圖2所示)。另外對比研究了SiC@SiO2納米線與SiC納米線對環(huán)氧樹脂導熱等性能的影響，環(huán)氧/SiC@SiO2復合材料的性能均優(yōu)于環(huán)氧/SiC復合材料。這種新型環(huán)氧樹脂復合材料將在電子封裝等領域具有很好的應用前景。

西安齊岳生物可以提供各種不同長度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線等，并且我們可以提供官能團修飾、蛋白修飾、酶修飾、DNA修飾、殼聚糖、多肽、葉酸等修飾偶連各種納米線的定制合成技術(shù)。

SiC碳化硅納米線

鑭/釔摻雜氮化硅納米線

P納米顆粒修飾SiC納米線

Co-P納米薄膜修飾SiC納米線

SiC納米線\SiC納米棒\SiC晶須

碳化硅納米線,SiC nanowires

Au納米顆粒修飾SiC納米線

超長碳化硅納米線的化學修飾

La-N共摻SiC納米線

La2O3修飾改性SiC納米線

貴金屬納米粒子修飾SiC納米線

Pt、Pd和Ag修飾SiC納米線

原位生長SiC納米線增強C/SiC復合材料

b摻雜sic納米線

N摻雜SiC納米線

疏水性非晶碳包覆層對SiC納米線

3C-SiC納米線

SiC納米線修飾MoS2納米片

六方柱狀SiC納米線

Si襯底上生長SiC納米線

碳化硅納米線增強C/CSiCZrB

SiC納米線薄膜

柔性且超輕的SiC納米顆粒修飾碳纖維墊

石墨烯/碳化硅納米線復合材料

SiC納米線改性環(huán)氧樹脂

SiC納米線/環(huán)氧樹脂復合材料

SiC納米線的改性

竹節(jié)狀SiC納米線

B摻雜SiC納米線

碳納米管碳化硅納米線復合材料

碳化硅納米線(SiCNWs)修飾偶聯(lián)

超長碳化硅(SiC)納米線

SiC納米線增強SiCf/SiC復合材料

C/SiC復合材料表面制備SiC納米線

定向排列的SiC納米線的復合材料薄片

六棱柱狀的SiC納米線

SiC納米線增強鋁碳化硅復合材料

碳/碳復合材料SiC納米線

SiC納米線摻雜SiOC陶瓷粉體

碳化硅納米線混雜增強鎢酸鋯/鋁復合材料

SiC納米線增強C/CSiCZrC陶瓷基復合材料

碳化硅納米線增強石墨-碳化硅復合材料

碳化硅納米線/碳纖維布復合材料

碳化硅納米線/石墨烯泡沫電磁波吸收復合材料

SiC納米線改性的CF/PI復合材料

具有表層網(wǎng)狀分布碳化硅納米線

SiC納米線改性C/C復合材料

ZrB_2/SiC復合材料SiC納米線增韌碳化硅納米線(SiCNW)

核殼SiC@SiO2 NWs

雙層石墨烯/碳化硅襯底上W6Te6范德華納米線

以上資料來自西安齊岳生物小編（zhn2021.03.03）