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Sb2O3納米線、TiO2納米線、H2V3O8納米線、NaV3O8納米線,NiFe2O4 NWs、Fe3O4 NWs的合成方法(濕化學策略)
發(fā)布時間:2021-03-01     作者:zhn   分享到:

納米線的合成方法(濕化學策略):

納米線(NWs)可以被定義為一種具有在橫向上被限制在100納米以下(縱向沒有限制)的一維結構。懸置納米線指納米線在真空條件下末端被固定。**的納米線的縱橫比在1000以上,因此它們通常被稱為一維材料。

一般來說,大多數(shù)NWs的構造過程都是基于一維方向內(nèi)原子沿一定方向生長的原理。NW制備策略可分為自發(fā)生長和空間約束生長兩種模式。對于易于形成1D形貌的一些元素(如VTiMoSb)組成材料,以液相為代表的自發(fā)生長策略在大多數(shù)情況下足以得到1D產(chǎn)物。對于其他難以生長為一維形態(tài)的材料,則采用模板法等輔助手段,這些方法歸為空間約束生長策略。

構筑非均質(zhì)、多級NW結構的策略一般包括一步策略和多步策略。一步策略是指,不同的材料或結構通過原位生長過程在一個反應中形成預期的結構。多步策略總是需要先一步合成得到純NW樣品,以作為模板或基板,然后對其進行進一步的修飾。這些合成策略的示意圖如圖2所示。選擇哪種方法取決于材料本身的固有特性。

1. NW合成方法示意圖

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濕化學策略

A. 水熱/溶劑熱法

水熱/溶熱法是一種**的基于液相反應的自發(fā)生長法,通過在一定的壓力和溫度下引入選擇的溶劑來加速可溶性物質(zhì)的反應。產(chǎn)物的形貌受多種可能的變量影響,如溶劑種類、反應溫度/壓力/時間、pH值等。與其他方法相比,水熱/溶劑熱法成本低、功耗低、操作方便。通過控制合成過程中的各變量,成功制備許多NW產(chǎn)品,如Sb2O3TiO2H2V3O8NaV3O8

 

B. 溶膠-凝膠法

溶膠-凝膠是利用易水解金屬化合物在水或特定溶劑中的水解和縮聚特性,經(jīng)過干燥、燒結等后續(xù)處理得到目標產(chǎn)物的方法。一般來說,溶膠-凝膠法所涉及的基本反應是水解反應和聚合反應。溶膠-凝膠法是合成高比表面積材料的一種**方法,可以**降低材料加工所需的時間和溫度。這種方法具有以下幾個優(yōu)點:容易控制合成材料的納米結構,并具有調(diào)整材料結構和功能的能力,這使得它在催化、能源存儲和轉(zhuǎn)化方面具有吸引力。

 

C. 共沉淀法

共沉淀法是制備納米材料的一種常用方法,常被認為是一種簡單、經(jīng)濟的“一鍋法”。該方法涉及多個正離子,通過沉淀反應得到均勻的復合材料。在過去的幾十年里,多種NW結構的材料,如NiFe2O4 NWsFe3O4 NWs都是通過共沉淀法制備的。

 

D. 電沉積法

電沉積是另一種以液相為基礎的反應。在這種反應中,材料依靠電場提供的能量生長。利用電沉積法合成NW材料通常需要基底。到目前為止,由于材料類型和實驗條件的限制,電沉積法還沒有廣泛應用于NW材料的制備。因此,需要進一步發(fā)展更加**的電沉積模式。

 

E. 靜電紡絲法

靜電紡絲是一種廣泛應用于制備NWs的簡便方法,包括多級NWs、介孔NWs和幾乎所有無機材料自組裝的NWs。在靜電紡絲過程中,紡絲裝置上的注射頭作為模具來控制產(chǎn)品變?yōu)?/span>NW形貌。為獲得設計合理的無機NWs用于儲能材料,聚合物前驅(qū)體溶液制備、靜電紡絲、燒結三種工藝受到廣泛關注。對比于其他制備方法,這三種方法都便于調(diào)控。對于前驅(qū)體溶液,粘度和導電性這兩個最重要的性質(zhì)可以通過改變聚合物和無機成分的比例來輕松調(diào)節(jié),這兩個性質(zhì)對**的形貌有很大的影響。在運行過程中,接收距離通常為30厘米,需要一定時間接收NWs。因此,很容易影響他們的行為。在燒結過程中,許多聚合物具有明顯的熱性能。不同聚合物的結合會導致不同的形貌。靜電紡絲工藝在設計NW結構方面比其他方法具有更多優(yōu)點,通過對這三種工藝的改進,開發(fā)了許多**的靜電紡絲工藝。然而,缺點也很明顯,從參數(shù)到**形態(tài)的整個過程太復雜,很難找到明確的因果關系。

通過在前驅(qū)體溶液中加入模板材料,可以很容易地制備出介孔NWs材料,可緩解充電過程中體積變化。通常使用有機小分子和聚合物作為軟模板,二氧化硅被廣泛用作硬模板。在靜電紡絲前驅(qū)液中添加金屬-有機框架材料(MOF)是近年來發(fā)展起來的一種軟模板。

 

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CdSe納米線

CdSe修飾TiO2納米線

Ge基CdSe異質(zhì)結納米線

CdSe量子點接枝到ZnO納米線

硒化鎘(CdSe)納米線陣列的制備廠家

CdSe/Cu核/殼納米線(NWs)

CdSe納米線的可控合成

多段Co-CdSe金屬-半導體異質(zhì)結納米線

硒化鎘(CdSe)納米線的熒光標記-FITC ,羅丹明

活性基團修飾硒化鎘(CdSe)納米線

硒化鎘(CdSe)納米線修飾蛋白

硒化鎘(CdSe)納米線包裹**

CdS或CdSe單晶納米線陣列

CdS:Ga納米線

CdS:G彪11Te:Sb核殼結構納米線

CdS:Ga/ZnTe:Sb核殼結構納米線

溫馨提示:西安齊岳生物供應產(chǎn)品僅用于科研,不能用于人體(zhn2021.03.01)


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