齊岳生物提供硅納米線(SiNWs)表面有機物APTES改性以及生物改性

西安齊岳生物提供各種不同長度的納米金線，納米鈀線，納米銠線，納米釕線，納米鋨線，納米銥線，納米鉑線，納米銀線，CdS納米線，CdSe納米線，InAS納米線，ZnSe納米線，ZnTe納米線，CdS-CdSe納米線，CdTe納米線，GaAs納米線，GaSb納米線，InP納米線，SnO2納米線，ZnO納米線，ZnS納米線，CdS納米帶，三氧化鉬納米線MoO3，單晶Sb2S3納米線，碳化硅納米線，SiO2納米線，TiO2納米線，氮化硅α-Si3N4納米線。同時實驗室提供各種納米線的改性，化學修飾，生物修飾，納米線功能化修飾定制技術。

硅納米線表面有機物改性

Cui 等[19]在硼摻雜的硅納米線外表面用三氨丙基三乙氧基硅烷(APTES)改性，此界面可進行 質子化和反質子化，也可以改變界面的電荷分布狀況，改性后的硅納米線被集成為場發射效應管用于檢測 pH 的納米傳感器。圖5為 APTES 改性的硅納米線檢測 pH 的原理圖。在兩極加上直流電壓，通過傳感器電導率的變化來表征 PH，研究發現傳感器的電導率隨 PH 的變化呈線性變化，對沒有進行表面改性的硅納米線傳感器研究表明，其電導率和 pH 變化不符合線性規律。作者認為在酸性較強的環境中 NH2 基團得到一個質子，消耗 p 型摻雜硅納米線中的空穴載流子使得電導率降低，而在酸性較弱的環境中Si(OH)基團失去一個質子，從而載流子增多導致電導率增強。

圖 5 表面改性的硅納米線應用于 pH 檢測的納米傳感器

放大圖像為 APTES 改性硅納米線表面電荷狀態

硅納米線表面生物改性

納米線可用于免標記、實時檢測生物分子以及檢測 DNA 及其它大分子生物基團并可進行電子編址,免標記的傳感器的發展為基礎生物學及醫學中的基因篩選、生物恐怖預防應用的研究提供了可能。Hahm 等[20]采用納米金為催化劑由化學氣相沉積方法制備了硼摻雜硅納米線，并在其表面裝配肽核酸(PNA)進行表面改性，用中介抗生物素蛋白質層將 PNA 受體與硅納米線連接在一起，肽核酸受體改性后硅納米線的表面可以識別囊性纖維化跨膜受體基因野生型ΔF508 基因突變位點；濃度測試研究表明此種改性的硅納米線做成傳感器可以進行無標記、實時、**及選擇性檢測濃度低于 1×10-11mol/L 的 DNA，為進行遺傳篩查及生物威脅的 DNA 檢測提供了一條可行的方法。

Li 等[21]在硅基絕緣體晶片上通過離子注入方法摻雜硼和磷，然后再用電子束刻蝕方法制備硅納米線，HF除去表面硅氧層、樣品水離子化處理后，通過氣相方法在硅納米線表面形成一個具有親水性的自組裝單分子自由硫醇表面層，將該樣品在氬氣氛圍的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)氣體中放置 4h，清洗烘干后，再將該硅納米線樣品浸泡在 5μmol/L 的寡核苷酸溶液中12h，通過丙烯酸亞磷酰胺基團的 5’位置的作用對硅納米線進行表面改性。這樣就形成了固定的、具有探測 DNA 作用的 ss-DNA 探針，可以應用于探測 DNA 的傳感器器件中。這種錨定寡核苷酸在硅納米線表面為探測 DNA 提供了更穩定的非特定雜化。圖 6 為硅納米線寡核苷酸表面改性的全過程，從插圖中可以看到硅納米線表面包覆了一層三甲基丙烯酰氧丙基三甲氧基硅烷，表面光電信號(SPV)發生了明顯變化，經寡核苷酸表面改性的硅納米線的 SPV 信號急劇減小(約減少了 31.5mV)。研究發現若將這種改性后的硅納米線應用于檢測 DNA 傳感器中，當 DNA濃度發生變化時，能通過硅納米線電導率的變化對 DNA 進行實時檢測。研究者認為當所要檢測的 DNA 吸附在硅納米線表面時，由于 DNA 自身帶有的負電荷引起了納米線表面負電荷增加，從而增加(減少)了 p 型(n 型)硅納米線載流子濃度，導致了硅納米線電導率的變化。

圖 6 探測 DNA 而進行硅納米線表面改性的全過程

(1) 硅納米線在氬氣氛圍的三甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(MPTMS)氣體中反應 4 小時；(2)5μmol/L 的寡核苷酸溶液中，通過丙烯酸亞磷酰胺基團的 5’位置的作用對進行硅納米線的表面改性；(3)探測 DNA 的過程，未標記補足 DNA 靶(GGA TTA TTGTTA)和固定在硅納米線表面的 DNA 探針發生雜化；插圖為硅納米線表面改性過程中不同階段 SPV 信號對比

相關定制產品：

磷摻雜硅納米線SiNWs

硼摻雜硅納米鏈

取向碳納米管/硅納米線復合陣列

碳納米管中間的孔洞內修飾硅納米線

碳納米管-硅納米線復合材料定制

金納米粒子修飾硅納米線(AuNPs-SiNWs)

鎳/硅納米線復合材料

硅(100)襯底上生長硅納米晶體,納米線

圓形的雙硅納米線SiNWs

硼,磷及鋰摻雜硅納米線

堿溶液修飾硅納米線陣列

大面積垂直排列和傾斜排列的單晶硅納米線陣列

F飽和與H飽和的(100)硅納米線

Au摻雜硅納米線SiNWs

Au摻雜[100]方向氫鈍化硅納米線(SiNWs)

硅納米線復合聚3-十二烷基噻吩混合薄膜

基于BOE硅腐蝕現象的硅納米線

在P型單晶硅片(100)基底上制備定向排列的硅納米線陣列

垂直基底方向生長的硅納米線陣列

硅納米線SiNWs表面負載了貴金屬納米粒子

AuNPs/SiNWs復合材料

PtNPs/SiNWs復合材料

硅納米線摻硼B

基于表面改性硅納米線雜化P3HT

ZnO復合的多孔硅納米線(PSiNWs)

基于有機物修飾的硅納米線

硅納米線陣列(Silicon nanowire arrays,SiNWAs)

硅納米線表面包覆TiO2復合材料

硅納米線表面加載納米金顆粒

聚氨酯/氧化硅納米線復合材料

單晶氧化硅納米線改性聚氨酯復合材料

聚氨酯(PU)接枝改性硅納米線陣列(SiNWAs)

Ni/Si納米線陣列

CVD法生長出來的硅納米線

二維二硫化鉬納米薄膜修飾硅納米線陣列

碳銅包覆改性硅納米線材料

一維氧化硅(SiOx)納米線

多孔碳包覆氧化硅納米線(pC-SiOx NWs)核殼結構材料

不同濃度Ni摻雜硅納米線

鉑覆蓋硅納米線陣列定制合成

購買須知：

1.關于顏色

產品因分子量不同，產品性狀和顏色會有差別。

2.關于客服

如您的咨詢沒能及時回復，可能是當時咨詢量過大或是系統故障。

3.關于售后

我們將提供完整的售后服務，保證。

4.關于發貨

我們的合作快遞公司有順豐、圓通、申通、韻達。

溫馨提醒：僅供科研，不能用于人體實驗（zhn2021.02.24）