1.實(shí)驗(yàn)

CdSe晶體材料制備

  圖l為CdSe晶體生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)示意圖。采用(001)面CdSe 單晶雙面拋光片作為籽晶,原料為純度為99.999 9%的粒狀CdSe。實(shí)驗(yàn)開(kāi)始前﹐需將籽晶和原料放置于生長(zhǎng)結(jié)構(gòu)中,抽真空至10-5Pa并封封入安部﹐然后將安部放入晶體生長(zhǎng)爐。晶體生長(zhǎng)爐采用多溫區(qū)加熱﹐控溫精度為±0.1℃,調(diào)節(jié)溫度參數(shù)使傳輸區(qū)溫度梯度平緩。

材料性能表征

  對(duì)CdSe晶體材料進(jìn)行取樣測(cè)試。平行生長(zhǎng)表面取晶片樣品﹐晶片厚為500 um；然后，用5%的溴甲醇溶液對(duì)CdSe晶片表面進(jìn)行化學(xué)腐蝕，再用去離子水沖洗干凈，如圖2所示。

圖2 CdSe晶片

  采用拉曼(Raman)光譜儀對(duì)晶片樣品進(jìn)行Ra-man測(cè)試,激光光源波長(zhǎng)為532 nm。采用X線衍射(XRD)分析儀對(duì)樣品進(jìn)行晶體結(jié)構(gòu)的分析,使用Cu靶Kα射線,掃描速率2( °)/ min,掃描范圍10°~90°。采用紫外/可見(jiàn)/近紅外光度儀測(cè)試材料的光學(xué)特性,光譜范圍為200～1 000 nm。

Raman測(cè)試

  圖3為測(cè)得的CdSe晶片樣品Raman圖譜。

圖3 CdSe晶片Raman圖譜

  由圖3可見(jiàn),生長(zhǎng)的晶體為六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)的CdSe材料。由于纖鋅礦型CdSe 為極性材料,其光學(xué)模分裂為橫向光學(xué)聲子(對(duì)應(yīng)于圖中1#峰,峰位173.3 cm-1)和縱向光學(xué)聲子(對(duì)應(yīng)于圖中2#和3#峰﹐峰位分別為205.2 cm-1和413.5 cm-1 )

2.結(jié)論

  對(duì)CdSe晶體氣相生長(zhǎng)速率進(jìn)行了研究，采用PVT法生長(zhǎng)出CdSe 單晶﹐并對(duì)其性能進(jìn)行了表征,得到如下結(jié)論。

1）結(jié)合氣相法晶體生長(zhǎng)動(dòng)力學(xué)知識(shí)對(duì)CdSe氣相生長(zhǎng)速率進(jìn)行了理論分析,表明晶體生長(zhǎng)速率主要由源區(qū)溫度Ts和生長(zhǎng)區(qū)溫度T。決定,這對(duì)優(yōu)化CdSe氣相生長(zhǎng)工藝具有重要的參考價(jià)值。

2 ) Raman測(cè)試表明,生長(zhǎng)的CdSe晶體材料具有極性的纖鋅礦型晶體結(jié)構(gòu)。XRD譜圖中衍射峰尖銳、對(duì)稱性較好,且衍射峰半高寬較小,說(shuō)明CdSe晶體材料的晶格完整性較好。

3）光學(xué)特性測(cè)試表明該材料的短波吸收限約在730 nm;同時(shí),在近紅外波段內(nèi)具有較好的光學(xué)透過(guò)特性。所以CdSe可作為吸收可見(jiàn)光、透過(guò)近紅外光的窗口材料。

齊岳供應(yīng)相關(guān)產(chǎn)品

摻錸(Re) WSe2 二硒化鎢晶體    

WSe2 二硒化鎢晶體    

WS2 二硫化鎢晶體    

SnSe2 硒化錫    

SnSe 硒化亞錫    

SnS 硫化亞錫    

Si2CuP3晶體    

ReSe2 二硒化錸晶體    

ReS2 二硫化錸晶體    

PtTe2晶體    

PbI2晶體    

Ni2SiTe4晶體    

NbTe2 晶體    

MoWSe4 鉬鎢硒晶體    

MoWS2 鉬鎢硫晶體    

MoTe2 二碲化鉬晶體    

MoSSe 鉬硫硒晶體    

摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體    

摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體    

摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體    

摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體    

摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體    

摻錸(Re)MoSe2晶體    

MoSe2 二硒化鉬晶體    

摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體    

MoS2 二硫化鉬晶體  

In2Se3晶體    

In2P3Se9 晶體    

HfTe5晶體    

HfTe2 碲化鉿晶體    

HfSe2 硒化鉿晶體    

HfS2 硫化鉿晶體    

GeSe 硒化鍺晶體    

GaTe晶體    

GaSe 硒化鎵晶體    

Fe3GeTe2晶體    

CuS 晶體    

CdI2晶體>10平方毫米    

BiTe晶體>10平方毫米    

BiSe 晶體    

硫化鉍 Bi2S3 晶體    

Bi2O2Te 晶體    

AgCrSe2晶體    

hBN 六方氮化硼晶體    

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