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光催化材料的性能分析
發(fā)布時間:2021-01-22     作者:zl   分享到:

在光催化水解制氫實驗中,選擇合適的犧牲劑和反應(yīng)溶液是非常重要的。本文比較了甲醇(MeOH)、三乙醇胺(TEOA)、三甲胺(TMA)、乳酸(HL)和NagS/NagSO;等不同犧牲劑對TiF;-BPH析出速率的影響,如圖1所示,純水、乳酸、TMATEOA在紫外-可見光照射4 h下幾乎未檢測到H產(chǎn)生。甲醇體系的H釋放速率僅為NaS/NagSO3體系的一半左右。因此,本研究選擇NagS/NagSO3作為犧牲劑來測試所有樣品的光催化活性。犧牲劑中存在的 S2-/SO32會產(chǎn)生陷阱,捕獲光照下激發(fā)的空穴,增大電子空穴的分離速率,提高光催化活性,這也是我們?nèi)绱诉x擇的重要原因139]。犧牲試劑對光催化分解水制氫反應(yīng)具有重要影響,因為光催化分解水的pH值對H/H2還原電位以及光催化劑的導(dǎo)電/價帶電位都很敏感。

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1 樣品分散在含不同犧牲劑的水溶液中對比圖

如圖2 ( a)所示,水熱反應(yīng)后純TiO2和純BP在紫外-可見光照射4 h后析氫速率分別為283.9290.2 molh'g1。水熱法制備的純BP產(chǎn)氫率分別是文獻報道的138[361.6 molh 'g-1[60]2.1181.2倍。同時,P25-BP的產(chǎn)氫率比原始BP提高1.2倍,但只有TiF;-BP產(chǎn)氫率的55.4%,可能由于P25-BP中金紅石相經(jīng)氟化反應(yīng)生成Ti*較少。隨著納米二氧化鈦摻雜量的增加,催化活性和析氫速率逐漸降低。其原因是由于助催化劑過多而形成的電子-空穴復(fù)合中心降低了光載體在體內(nèi)的催化效率。實驗結(jié)果表明,TiF3具有促進電荷分離效率和轉(zhuǎn)移的作用,而BP表面的氧空位吸引了大量的光生空穴,提高了光載體在體內(nèi)的遷移速率,因此具有**的光催化性能。

然而,由于Ti的相對原子比僅為2-5%,而且Ti不僅與F結(jié)合,同時還與PTiOz的殘余物結(jié)合,因此很難測定TiF3的比含量。圖2 (b)顯示了產(chǎn)氫量與時間的關(guān)系。經(jīng)4 h照射后,很清楚的可以看出除0.1 g 摻雜水平的TiF;-BP外,其他單體及復(fù)合材料均表現(xiàn)出平穩(wěn)的矩形,沒有明顯的增高,而在光照4 h0.1 g TiF;-BP獲得24.5 mol Hz產(chǎn)量,遠高于BP(~11.6 mol)TiOz(~11.4 mol)和商業(yè)P25(~13.6 mol)。且隨著TiOz含量的增加,產(chǎn)氫量逐漸減少。該結(jié)果的原因與上述速率降低的原因一致,過多的助催化劑反而不利于光催化反應(yīng)的進行,形成的電子空穴復(fù)合中心會大大降低光催化劑的轉(zhuǎn)換效率,降低光生電荷的遷移速率。

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2  (a)產(chǎn)氫速率圖;(b)產(chǎn)氫產(chǎn)量圖

為了證實加入助催化劑之后光催化劑穩(wěn)定性的大幅度提高,通過循環(huán)測試來證明上述結(jié)論。在連續(xù)3個循環(huán)的12h內(nèi),對TiF;-BP催化劑的穩(wěn)定性進行了測試,從圖3 (a)中可以看出,在H的連續(xù)演化過程中,催化劑的降解很少。在**個階段內(nèi)可以保持在82%的穩(wěn)定性,在第三個階段光照后可以保持在75%的穩(wěn)定性,這種穩(wěn)定性是由于在BP表面存在F,同時表面存在大量的含氧官能團形成的氧化層保護BP納米片免受進一步的水解和氧化。助催化劑的存在也**的保護了光催化劑的氧化降解,負載在BP表面的助催化劑,形成類似的核殼結(jié)構(gòu),能減少樣品與水和空氣的**接觸面積,從而提升樣品暴漏在外部的穩(wěn)定性。

如圖3(b)所示,循環(huán)前后的XRD光譜分析也證實了這一說法。可以很清晰的看到在光照前后,樣品的結(jié)晶峰變化并不大,保持著循環(huán)前的峰形,且峰寬也未發(fā)生變化,說明樣品的結(jié)晶性并沒有在光照條件下降低,同時可以看到TiF3的峰有明顯的下降,這很好的復(fù)合了光照后助催化劑吸收電子而發(fā)生變化的現(xiàn)象。以上結(jié)果表明,與TiF3助催化劑相結(jié)合,BP納米片的光催化性能大大提高,且化學(xué)穩(wěn)定性也穩(wěn)步增長,在將來會是一種很有前途的**光催化劑。

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3  (aTiF;-BP循環(huán)性能圖;(bTiF3-BP光照前后的XRD圖譜

相關(guān)產(chǎn)品供應(yīng)

Co2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體
CoBi2Te4 磁性拓撲絕緣體
CoBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
CoBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
Cr2Ge2Te6  CrGeTe3 磁性拓撲絕緣體
Cr2Si2Te6   CrSiTe3 晶體
CrBi2Te4磁性拓撲絕緣體
CrBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
Mn2Bi2Se5 磁性拓撲絕緣體
Mn2Bi2Te5 磁性拓撲絕緣體
MnBi4Se7 磁性拓撲絕緣體
MnBi4Te7 磁性拓撲絕緣體
MoTe2 二碲化鉬(常規(guī)1T’)
Ni2Bi2Te5磁性拓撲絕緣體
NiBi2Te4 磁性拓撲絕緣體
NiBi4Te7 磁性拓撲絕緣體晶體
鉍單晶 Bi Crystal
摻雜Co Bi2Se3晶體
碲單晶 Te Crystal
CrPS4 晶體
Cu3Se2晶體
GePbS3 晶體
Cr2S3晶體
Sb2Te3 碲化銻 晶體
Bi2Te3 碲化鉍晶體
Bi2Se3 硒化鉍晶體
拓撲絕緣體-二維晶體
Cr2Ge2Te6 晶體
Bi2O2Se晶體  >10、25、100平方毫米
Nb2SiTe4晶體
ZrTe5晶體
SbTe晶體
Sb2S3晶體 >10、25平方毫米
NbReS4晶體
CrSiTe3晶體
CdPS3 晶體
ZrSe3 三硒化鋯晶體
ZrSe2 二硒化鋯晶體
ZrS3 三硫化鋯晶體
ZrS2 二硫化鋯晶體
ZrGeTe4晶體
WTaSe4 鎢鉭硒晶體
摻鈮(Nb)WSe2 二硒化鎢晶體
摻鉬(Mo:25%) WSe2 二硒化鎢晶體
摻錸(Re) WSe2 二硒化鎢晶體
WSe2 二硒化鎢晶體
WS2 二硫化鎢晶體
SnSe2 硒化錫
SnSe 硒化亞錫
SnS 硫化亞錫
Si2CuP3晶體
ReSe2 二硒化錸晶體
ReS2 二硫化錸晶體
PtTe2晶體
PbI2晶體
Ni2SiTe4晶體
NbTe2 晶體
MoWSe4 鉬鎢硒晶體
MoWS2 鉬鎢硫晶體
MoTe2 二碲化鉬晶體
MoSSe 鉬硫硒晶體
摻鎢(W)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
摻鐵(Fe)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
摻鉭(Ta)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
摻鎳(Ni)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
摻鈮(Nb)MoSe2晶體 二硒化鉬晶體
摻錸(Re)MoSe2晶體
MoSe2 二硒化鉬晶體
摻鈮(Nb)MoS2 二硫化鉬晶體
MoS2 二硫化鉬晶體>10、25、100平方毫米
In2Se3晶體
In2P3Se9 晶體
HfTe5晶體

zl 01.22

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