P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質(zhì)外延的技術(shù)方法

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4H型SiC（4H-SiC）產(chǎn)品描述：

六方結(jié)構(gòu)的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場(chǎng)、高電子遷移率的優(yōu)勢(shì)，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導(dǎo)體器件的優(yōu)良半導(dǎo)體材料，也是目前綜合性能比較好、商品化程度高、技術(shù)成熟的第三代半導(dǎo)體材料

P型階梯摻雜4H-SiC多層薄膜同質(zhì)外延的基本信息

SiC外延膜實(shí)物圖：

碳化硼SiC的外延生長(zhǎng)的方法包括以下幾種

1)化學(xué)氣相淀積CVD:（分為CVD和HTCVD高溫兩種）

2)升華或物理氣相傳輸法PVT（分為Lely熔法/LETI法和升華三明治法）

3)分子束外延MBE

4)液相外延LPE：（又包含Si溶劑和其他溶劑兩種）

化學(xué)氣相淀積CVD法是制造**外延結(jié)構(gòu)的方法。反應(yīng)器中的壓力可以通過氣體產(chǎn)生，低壓化學(xué)氣相淀積LPCVD，壓力為10~1000mbar，低壓可以減小氣相成核，SiC一般使用較為廣泛。這種方法的產(chǎn)量非常高。外延生長(zhǎng)過程中，氣相Si和C的比例會(huì)影響生長(zhǎng)速率、外延層的質(zhì)量以及雜質(zhì)的摻入，CVD的一個(gè)優(yōu)勢(shì)便是可以在生長(zhǎng)過程中很好地控制Si/C比。目前，對(duì)于SiC外延層仍然存在各種缺陷，從而對(duì)器件特性造成影響，所以針對(duì)SiC的外延生長(zhǎng)工藝需要進(jìn)行不斷的優(yōu)化，同時(shí)整個(gè)SiC器件的生產(chǎn)工藝以及設(shè)備也是后期不斷關(guān)注的話題。

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