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中空介孔碳球內(nèi)生長花瓣狀MoS2二硫化鉬納米片
發(fā)布時間:2020-12-07     作者:zhn   分享到:

中空介孔碳球內(nèi)生長花瓣狀MoS2二硫化鉬納米片

**2D材料MoS2由于其可調(diào)的結(jié)構(gòu)和**的儲鋰性能 (理論容量幾乎是石墨的兩倍),引起廣泛關(guān)注。然而,容量的快速衰減和差的倍率性能限制了MoS2的應(yīng)用,碳包覆是**和直接的提高電化學(xué)性能的方法之一。蛋黃殼結(jié)構(gòu)納米材料可通過增加活性物質(zhì)的質(zhì)量分?jǐn)?shù)來增強(qiáng)LIB的能量密度,且蛋黃和殼之間的空隙可以作為活性物質(zhì)在脫嵌鋰時的體積膨脹緩沖區(qū)。有科研團(tuán)隊開發(fā)了一種在中空介孔碳球(HMCS)內(nèi)部生成MoS2納米片的創(chuàng)新方法。HMCS作為納米反應(yīng)器,**控制和限制了MoS2納米片的原位生長。當(dāng)作為LIB的負(fù)極材料時,與純MoS2和附著在碳球上的MoS2C@MoS2相比,蛋黃殼結(jié)構(gòu)的MoS2@C顯示出更高的可逆容量和倍率性能。

材料制備過程:

中空介孔碳球的合成:

將原硅酸四乙酯和間苯二酚甲醛低聚物在SiO2核心顆粒上共縮聚以形成SiO2@SiO2/RF-殼納米球結(jié)構(gòu)。向含有70mL乙醇,10mLH2O3mL氨水(25wt)的溶液中加入3.46mL TEOS15分鐘后,向該溶液中加入0.4g間苯二酚和0.56mL甲醛(37wt),并將體系在室溫下劇烈攪拌24小時。通過離心分離沉淀物,用去離子水和乙醇洗滌,然后在60℃下干燥過夜。將沉淀物在N2氣氛下700(2/min)煅燒5h以獲得SiO2@SiO2/C納米球。通過使用氫氧化鈉(NaOH, 1M)去除二氧化硅獲得20nm厚碳?xì)さ?/span>HMCS

 

蛋黃-MoS2@ C納米球的合成0.5gNa2MoO4·2H2O1.0gCS(NH2)2溶解在30mL的去離子水中,再超聲波分散30分鐘形成透明的溶液,然后將100mgHMCS溶解在溶液中。在超聲波中分散50分鐘后,將黑色溶液轉(zhuǎn)移到60mL高壓釜中。然后將高壓釜在200℃烘箱中加熱24小時。之后,將高壓釜冷卻至室溫,轉(zhuǎn)移出溶液進(jìn)行離心。收集黑色顆粒并用去離子水和乙醇洗滌六次,然后在60℃下真空干燥過夜。將產(chǎn)物在Ar氣氛下800℃的管式爐中煅燒2小時,得到核殼MoS2@C納米球。

 

image.png

1.蛋黃殼MoS2@C納米球的制備示意圖

image.png 

2.a-cHMCSTEM圖像;(d-fTEM圖像;(g,hHRTEM圖像和(iMoS2@C納米球的SAED; j-mSTEM圖像以及相應(yīng)的元素Mapping

 

電化學(xué)性能測試,以1A/g電流密度對核殼MoS2@C, C@MoS2和純MoS2制成的三個電極進(jìn)行恒電流充/放電測試。核殼MoS2@C的放電和充電容量分別為16711197mAh/g,高于C@MoS21337866mAh/g以及純MoS2813580mAh/g;核殼MoS2@C庫倫效率為71.6%,高于C@MoS264.7%;經(jīng)過200個循環(huán)后,核殼MoS2@C保持993 mAh/g高的可逆容量和循環(huán)穩(wěn)定性,而C@MoS2降低至618mAh/g

 

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以上資料來自西安齊岳生物小編zhn2020.12.07

 

 


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