超薄金屬銠（Rh）納米片層

由于金屬具有密堆積的晶體結構，使得二維的納米尺度下的金屬片難以生成。制備出了超薄的金屬銠納米片，該方法有望推廣到更多的金屬納米片的生長中去。隨著像石墨烯等厚度僅為原子尺度材料的出現，二維材料在諸如超薄電容、電池及**催化劑等柔性電子器件中的探索和應用也越來越多。與石墨烯等其他具有層狀結構的材料不同，金屬材料易于形成緊密堆積的三維結構，不利于單層原子生長，因而很難生成超薄的金屬納米片。近期，中國的研究人員利用一氧化碳限定技術，已經成功地制備出了金屬銠（Rh）的超薄納米片層，其厚度小于1納米，且區域可控。

這一方法與該研究組此前用來生成金屬鈀納米片的方法相似。

將醋酸銠(II)和聚乙烯吡咯烷酮融入N,N-二甲基甲酰胺中，再加壓通入CO，隨后加熱到150°C，并保溫數小時，而在此期間金屬銠納米片層便生成了。在生長的初級階段，當溫度達到150°C時，多重羰基化銠團簇形成，其直徑為1-2納米。這些團簇聚集起來形成納米片，降低了表面能。

制得的納米片具有大小一致的平行四邊形形狀，仍具有fcc晶體結構，僅在（111）晶面沉積了3-5層。單個納米片的平均厚度為0.9納米，但已發現2-5個單個納米片可以以0.5納米的距離“聚集”在一起。

CO強烈地吸附在（111）晶面上，阻止了更多的羰基化銠團簇在這一晶面吸附，阻止其沿[111]晶向生長，限制了金屬銠三維結構的形成。改變通入的CO氣體壓力，可以生成不同尺寸的納米片。使用0.5個、1個、1.5個和 2個標準大氣壓可分別得到長邊邊長為500、800、 1000 和1300納米的平行四邊形；但長寬比在不同壓力下是相同的。

聚乙烯吡咯烷酮起到了表面活性劑的作用，同時在合成過程中，它像帽子似的保護了納米片，從而防止較早生成的納米片被覆蓋。這樣的“帶帽”是增強了還是降低了其催化活性還存在爭議。而對金屬銠納米片，在蒽（一種多環芳香烴）的選擇性加氫試驗中“無帽”的納米片表現出了最高的催化活性。

有關金屬納米片生長的機制同樣可應用于除了銠和鈀以外的其他金屬。這不僅能使金屬納米片可靠且可控的生長，同時也使關于表面限制對于表面活性在各種反應中的影響的研究有啟發性意義。

產品供應：

含納米Co的新型PDC復合片    

鋅鈷基氧硫化物納米片    

NiO/石墨烯納米片復合材料    

碲化物ZnAgInTe納米片    

鐵酸鉍Bi2Fe4O9單晶納米片    

薄片狀鉬酸鉍(Bi2MoO6)    

石墨烯-亞穩態鈦酸鉍(Bi20TiO32)介孔納米片復合材料    

單晶Bi20TiO32納米片    

硫化鉍(Bi2S3)納米薄片和納米棒    

碳量子點(CQDs)修飾的硅酸鉍(Bi2SiO5)納米片光催化劑    

少層硒化鉍納米片及其納米金-硒化鉍復合材料    

Pt/Bi_(24)O_(31)Cl_(10)復合納米片    

碳量子點(CQDs)修飾的硅酸鉍(Bi_2SiO_5)納米片光催化劑    

鈮酸鹽納米片(Nb6017-NS)    

橢圓形片狀的納米級磷酸氫鍶(SrHPO4)粉末    

多孔氧化鋅(ZnO)納米片和銠(Rh)摻雜納米氧化鋅    

超薄銠納米片負載于CeO2復合材料    

銪摻雜的氧化釔納米片(Y_2O_3:Eu~(3+))    

CoO氧化鈷/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

片狀氧化鈷二維層狀碳化鈦復合材料    

納米片層狀氫氧化鈷/泡沫鎳復合材料    

片棒狀CoO/石墨烯復合材料    

二氧化錳MnO2/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

超薄MnO2與Ti3C2納米片復合材料    

片狀碳化鈦負載二氧化錳復合材料    

層狀二氧化錳納米片和石墨烯復合電極材料    

二氧化錳納米片NafionMb多層復合超薄膜    

銀復合二氧化錳納米片Ag-MnO2NS    

聚乙烯亞胺/二氧化錳納米片多層復合薄膜    

納米氧化鎳NI2O3/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

多孔片層狀鎳鈷雙金屬氧化物材料    

NiO納米晶/納米片    

氧化鉭TaO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

納米氧化鉍（BI2O3）/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

Zn摻雜二維層狀δ-Bi2O3納米片    

類片狀納米氧化鉍    

C/N摻雜β?Bi2O3納米片    

五氧化二鉭Ta2O5/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鍶SrO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鈮NbO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鋇BaO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

二氧化鉿HfO2/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化錸ReO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鋨OsO/薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化銥IrO2薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鉈TlO薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釙Po薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鐳RaO薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鏌McO薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鉨NhO薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鑭LaO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鈰CeO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

Ti_3C_2及片狀CeO_2/Ti_3C_2    

片狀CeO_2/Ti_3C_2納米復合材料    

氧化亞銅納米片陣列和氧化鈰納米薄膜    

氧化鐠PrO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釹NdO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釤SmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化銪EuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釓GdO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鋱TbO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鏑DyO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鈥HoO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鉺Er晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化銩TmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鐿YbO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化镥LuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化錒AcO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釷ThO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鏷PaO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鈾UO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化镎NpO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化钚PuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化镅AmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鋦CmO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化锫Bk晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化锎晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鍺GeO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化鉻CrO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化銠RhO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釕RuO晶體薄膜/晶體/層/片狀復合材料    

氧化釕/石墨納米片復合陣列    

碲化銻Sb2Te3二維薄片    

摻雜型二維Cr2Te3納米片材料    

n-型碲化鉛PbTe納米片    

摻雜誘導納米晶的Bi/Ag-PbTe多孔納米片    

CdTeHg碲鎘汞單晶體/晶片    

Bi2Te3碲化鉍納米片    

負載鈷鎳鉬顆粒的碲化鈷納米片    

表面氫修飾的硫化鈦超薄納米片    

S摻雜的NiTe(NiTe:S)納米片    

上述產品僅用于科研，不可用于人體實驗！

wyf 11.17